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二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode),另外,還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場。當外加電壓等于零時,由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。

二極管是最常用的電子元件之一,他最大的特性就是單向?qū)щ?也就是電流只可以從二極管的一個方向流過,二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩(wěn)壓電路,各種調(diào)制電路,主要都是由二極管來構(gòu)成的,其原理都很簡單,正是由于二極管等元件的發(fā)明,才有我們現(xiàn)在豐富多彩的電子信息世界的誕生,既然二極管的作用這么大那么我們應(yīng)該如何去檢測這個元件呢,其實很簡單只要用萬用表打到電阻檔測量一下正向電阻如果很小,反相電阻如果很大這就說明這個二極管是好的。對于這樣的基礎(chǔ)元件我們應(yīng)牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路,這樣才能為以后的電子技術(shù)學(xué)習打下良好的基礎(chǔ)。

二極管（英語：Diode）,電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻�極管（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調(diào)電容器。

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓）,反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方向性,而是較為復(fù)雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。

早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)。現(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。

正向性

外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場被克服,二極管導(dǎo)通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。

反向性

外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流,由于反向電流很小,二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

擊穿

外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦�。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞�被永久破�?在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。

二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩�端器�?有電子二極管和晶體二極管之分,電子二極管現(xiàn)已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向?qū)щ娞匦?幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣泛。

二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色,具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0——2.2V,黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V,綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V,正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。

二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。

二極管的特性曲線

與PN結(jié)一樣,二極管具有單向?qū)щ娦浴９瓒�極管典型伏安特性曲線（圖）。在二極管加有正向電壓,當電壓值較小時,電流極小；當電壓超過0.6V時,電流開始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓,用符號UD表示。

對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。

在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。

二極管的反向擊穿

齊納擊穿

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

雪崩擊穿　　

另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)永久性損壞。

導(dǎo)電特性

二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦�。在電路�?電流只能從二極管的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。

正向特性

在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極管就會導(dǎo)通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極管兩端的正向電壓很小時,二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門坎電壓”,又稱“死區(qū)電壓”,鍺管約為0.1V,硅管約為0.5V）以后,二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V）,稱為二極管的“正向壓降”。

反向特性

在電子電路中,二極管的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極管中幾乎沒有電流流過,此時二極管處于截止狀態(tài),這種連接方式,稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極管,稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值,反向電流會急劇增大,二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。

半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi),根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點,把晶體二極管分類如下：

點接觸型二極管

點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因為構(gòu)造簡單,所以價格便宜。

面接觸型二極管

面接觸型或稱面積型二極管的PN結(jié)是用合金法或擴散法做成的,由于這種二極管的PN結(jié)面積大,可承受較大電流,但極間電容也大。這類器件適用于整流,而不宜用于高頻率電路中。

鍵型二極管

鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較,雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加,但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用,有時也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中,熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型,熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。

合金型二極管

在N型鍺或硅的單晶片上,通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小,適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量大,所以不適于高頻檢波和高頻整流。

擴散型二極管

在高溫的P型雜質(zhì)氣體中,加熱N型鍺或硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小,適用于大電流整流。最近,使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴散型。

臺面型二極管

PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同,但是,只保留PN結(jié)及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形,因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型,是對半導(dǎo)體材料使用擴散法而制成的。因此,又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說,似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少,而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。

平面型二極管

在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上,擴散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初,對于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號很少,而作小電流開關(guān)用的型號則很多。

合金擴散型二極管

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質(zhì),就能與合金一起過擴散,以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當?shù)臐舛确植肌４朔ㄟm用于制造高靈敏度的變?nèi)荻�極管。

外延型二極管

用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻�極管。

肖特基二極管

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關(guān)速度非�？欤悍聪蚧謴�(fù)時間trr特別地短。因此,能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

根據(jù)用途分類

1、檢波二極管

就原理而言,從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波,以整流電流的大�。�100mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。

2、整流二極管

就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大�。�100mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結(jié)型,工作頻率小于KHz,最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導(dǎo)體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
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3、限幅二極管

大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用,通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要,把若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。

4、調(diào)制二極管

通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻�極管也有調(diào)制用途,但它們通常是直接作為調(diào)頻用。

5、混頻二極管

使用二極管混頻方式時,在500～10,000Hz的頻率范圍內(nèi),多采用肖特基型和點接觸型二極管。

6、放大二極管

用二極管放大,大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負阻性器件的放大,以及用變?nèi)荻�極管的參量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻�極管。

7、開關(guān)二極管

有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時間特短,因而是理想的開關(guān)二極管。2AK型點接觸為中速開關(guān)電路用；2CK型平面接觸為高速開關(guān)電路用；用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關(guān),正向壓降小,速度快、效率高。

8、變?nèi)荻�極管

用于自動頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻�極管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。

9、頻率倍增用二極管

對二極管的頻率倍增作用而言,有依靠變?nèi)荻�極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻�極管稱為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻�極管的工作原理相同,但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管,從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時的反向恢復(fù)時間trr短,因此,其特長是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波,那么,因tt（轉(zhuǎn)移時間）短,所以輸出波形急驟地被夾斷,故能產(chǎn)生很多高頻諧波。

10、穩(wěn)壓二極管

是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài),硅材料制作,動態(tài)電阻RZ很小,一般為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。

11、PIN型二極管（PIN Diode）

這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時,由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時間效應(yīng),其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時,由于載流子注入"本征"區(qū),而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等電路中。

12、 雪崩二極管(Avalanche Diode)

它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯后于電壓,出現(xiàn)延遲時間,若適當?shù)乜刂贫稍綍r間,那么,在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負阻效應(yīng),從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。

13、江崎二極管（Tunnel Diode）

它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個條件：①費米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP/PV）,其中,下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段）,也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。

14、快速關(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管(Step Recovary Diode)

它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點是：在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū),從而形成"自助電場"。由于PN結(jié)在正向偏壓下,以少數(shù)載流子導(dǎo)電,并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng),使其反向電流需要經(jīng)歷一個"存貯時間"后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復(fù)二極管的"自助電場"縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計出梳狀頻譜發(fā)生電路�？焖訇P(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的"金屬半導(dǎo)體結(jié)"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。

16、阻尼二極管

具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

17、瞬變電壓抑制二極管

TVP管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。

18、雙基極二極管（單結(jié)晶體管）

兩個基極,一個發(fā)射極的三端負阻器件,用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

19、發(fā)光二極管(LED)

用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。

20.、硅功率開關(guān)二極管

硅功率開關(guān)二極管具有高速導(dǎo)通與截止的能力。它主要用于大功率開關(guān)或穩(wěn)壓電路、直流變換器、高速電機調(diào)速及在驅(qū)動電路中作高頻整流及續(xù)流箝拉,具有恢復(fù)特性軟、過載能力強的優(yōu)點、廣泛用于計算機、雷達電源、步進電機調(diào)速等方面。

21、旋轉(zhuǎn)二極管

主要用于無刷電機勵磁、也可作普通整流用。

根據(jù)特性分類

點接觸型二極管,按正向和反向特性分類如下。

1、一般用點接觸型二極管

這種二極管正如標題所說的那樣,通常被使用于檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。

2、高反向耐壓點接觸型二極管

是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中,有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。

3、高反向電阻點接觸型二極管

正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A等等屬于這類二極管。

4、高傳導(dǎo)點接觸型二極管

它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差,但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等。對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管,在負荷電阻特別低的情況下,整流效率較高。

1、整流

利用二極管單向?qū)щ娦?可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。

2、開關(guān)

二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止狀態(tài),如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性,可以組成各種邏輯電路。

3、限伏

二極管正向?qū)�通�?它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V,鍺管為0.3V）。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。

4、續(xù)流

在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負載中起續(xù)流作用。

5、檢波

在收音機中起檢波作用。

6、變?nèi)?/P>

使用于電視機的高頻頭中。

7、顯示

用于VCD、DVD、計算器等顯示器上。

8、穩(wěn)壓

穩(wěn)壓二極管實質(zhì)上是一個面結(jié)型硅二極管,穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)。在二極管的制造工藝上,使它有低壓擊穿特性。穩(wěn)壓二極管的反向擊穿電壓恒定,在穩(wěn)壓電路中串入限流電阻,使穩(wěn)壓管擊穿后電流不超過允許值,因此擊穿狀態(tài)可以長期持續(xù)并不會損壞。

9、觸發(fā)

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu),具有對稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過壓保護等用途。

晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。p-n結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu),又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結(jié)在一起,形成一個“PN結(jié)”。由于是點接觸,只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安）,適用于高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大,允許通過較大的電流（幾安到幾十安）,主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。

主要參數(shù)

用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標,稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。對初學(xué)者而言,必須了解以下幾個主要參數(shù)：

1、最大整流電流

是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值,其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過容許限度（硅管為141左右,鍺管為90左右）時,就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下,二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。例如,常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。

2、最高反向工作電壓

加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰�。為了保證使用安全,規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如,IN4001二極管反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。

3、反向電流

反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下,流過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶�。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時反向電流僅為5uA,溫度升高到75℃時,反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

4.動態(tài)電阻Rd

二極管特性曲線靜態(tài)工作點Q附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。

參數(shù)符號及其意義

CT——-勢壘電容

Cj——-結(jié)（極間）電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容

Cjv——-偏壓結(jié)電容

Co——-零偏壓電容

Cjo——-零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn——-結(jié)電容變化

Cs——-管殼電容或封裝電容

Ct——-總電容

CTV——-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC——-電容溫度系數(shù)

Cvn——-標稱電容

IF——-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值）,硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）——-正向平均電流

IFM（IM）——-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

IH——-恒定電流、維持電流。

Ii——- 發(fā)光二極管起輝電流

IFRM——-正向重復(fù)峰值電流

IFSM——-正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

Io——-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)——-正向過載電流

IL——-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID——-暗電流

IB2——-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM——-發(fā)射極峰值電流

IEB10——-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20——-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM——-最大輸出平均電流

IFMP——-正向脈沖電流

IP——-峰點電流

IV——-谷點電流

IGT——-晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD——-晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM——-控制極正向峰值電流

IR（AV）——-反向平均電流

IR（In）——-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時,給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM——-反向峰值電流

IRR——-晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR——-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM——-反向重復(fù)峰值電流

IRSM——-反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp——-反向恢復(fù)電流

Iz——-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流

Izk——-穩(wěn)壓管膝點電流

IOM——-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM——-穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM——-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF——-正向總瞬時電流

iR——-反向總瞬時電流

ir——-反向恢復(fù)電流

Iop——-工作電流

Is——-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f——-頻率

——-電容變化指數(shù)；電容比

Q——-優(yōu)值（品質(zhì)因素）

δvz——-穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt——-通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt——-通態(tài)電壓臨界上升率

PB——-承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）——-正向?qū)�通平均耗散功�?/P>

PFTM——-正向峰值耗散功率

PFT——-正向?qū)�通總瞬時耗散功率

Pd——-耗散功率

PG——-門極平均功率

PGM——-門極峰值功率

PC——-控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi——-輸入功率

PK——-最大開關(guān)功率

PM——-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP——-最大漏過脈沖功率

PMS——-最大承受脈沖功率

Po——-輸出功率

PR——-反向浪涌功率

Ptot——-總耗散功率

POMax——-最大輸出功率

PSc——-連續(xù)輸出功率

PSM——-不重復(fù)浪涌功率

PZM——-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）——-正向微分電阻。在正向?qū)�通時,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻

RBB——-雙基極晶體管的基極間電阻

RE——-射頻電阻

RL——-負載電阻

Rs(rs)————串聯(lián)電阻

Rth————熱阻

R(th)ja————結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)——-動態(tài)電阻

R(th)jc——-結(jié)到殼的熱阻

r δ——-衰減電阻

r(th)——-瞬態(tài)電阻

Ta——-環(huán)境溫度

Tc——-殼溫

td——-延遲時間

tf——-下降時間

tfr——-正向恢復(fù)時間

tg——-電路換向關(guān)斷時間

tgt——-門極控制極開通時間

Tj——-結(jié)溫

Tjm——-最高結(jié)溫

ton——-開通時間

toff——-關(guān)斷時間

tr——-上升時間

trr——-反向恢復(fù)時間

ts——-存儲時間

tstg——-溫度補償二極管的貯成溫度

a——-溫度系數(shù)

λp——-發(fā)光峰值波長

△ λ——-光譜半寬度

η——-單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB——-反向峰值擊穿電壓

Vc——-整流輸入電壓

VB2B1——-基極間電壓

VBE10——-發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB——-飽和壓降

VFM——-最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF——-正向壓降（正向直流電壓）

△VF——-正向壓降差

VDRM——-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT——-門極觸發(fā)電壓

VGD——-門極不觸發(fā)電壓

VGFM——-門極正向峰值電壓

VGRM——-門極反向峰值電壓

VF（AV）——-正向平均電壓

Vo——-交流輸入電壓

VOM——-最大輸出平均電壓

Vop——-工作電壓

Vn——-中心電壓

Vp——-峰點電壓

VR——-反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM——-反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）——-擊穿電壓

Vth——-閥電壓（門限電壓、死區(qū)電壓）

VRRM——-反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM——-反向工作峰值電壓

V v——-谷點電壓

Vz——-穩(wěn)定電壓

△Vz——-穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs——-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av——-電壓溫度系數(shù)

Vk——-膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL ——-極限電壓

識別

小功率二極管的N極（負極）,在二極管外表大多采用一種色圈標出來,有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負極）,也有采用符號標志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別,長腳為正,短腳為負。用數(shù)字式萬用表去測二極管時,紅表筆接二極管的正極,黑表筆接二極管的負極,此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)�通阻�?這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。

半導(dǎo)體是一種具有特殊性質(zhì)的物質(zhì),它不像導(dǎo)體一樣能夠完全導(dǎo)電,又不像絕緣體那樣不能導(dǎo)電,它介于兩者之間,所以稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體最重要的兩種元素是硅（讀“gui”）和鍺（讀“zhe”）。我們常聽說的美國硅谷,就是因為起先那里有好多家半導(dǎo)體廠商。

. 二極管應(yīng)該算是半導(dǎo)體器件家族中的元老了。很久以前,人們熱衷于裝配一種礦石收音機來收聽無線電廣播,這種礦石后來就被做成了晶體二極管。

LED發(fā)光二極管分類

1、按發(fā)光管發(fā)光顏色分

按發(fā)光管發(fā)光顏色分,可分成紅色、橙色、綠色（又細分黃綠、標準綠和純綠）、藍光等。另外,有的發(fā)光二極管中包含二種或三種顏色的芯片。根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色,上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型。散射型發(fā)光二極管和達于做指示燈用。

2、按發(fā)光管出光面特征分

按發(fā)光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、表面安裝用微型管等。

圓形燈按直徑分為φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。國外通常把φ3mm的發(fā)光二極管記作T-1；把 φ5mm的記作T-1（3/4）；把φ4.4mm的記作T-1（1/4）。由半值角大小可以估計圓形發(fā)光強度角分布情況。從發(fā)光強度角分布圖來分有三類：

（1）高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝,或是帶金屬反射腔封裝,且不加散射劑。半值角為5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或與光檢出器聯(lián)用以組成自動檢測系統(tǒng)。

（2）標準型。通常作指示燈用,其半值角為20°~45°。

（3）散射型。這是視角較大的指示燈,半值角為45°~90°或更大,散射劑的量較大。

二極管型號命名方法

二極管的型號命名規(guī)定由五個部分組成
完美動力原畫作品
完美動力原畫作品

二極管和半導(dǎo)體的關(guān)系

二極管的正負二個端子。正端A稱為陽極,負端K 稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。一些初學(xué)者容易產(chǎn)生這樣一種錯誤認識：“半導(dǎo)體的一‘半’是一半的‘半’；而二極管也是只有一‘半’電流流動（這是錯誤的）,所有二極管就是半導(dǎo)體 ”。其實二極管與半導(dǎo)體是完全不同的東西。我們只能說二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無論那個方向都能流動電流。

測試二極管的好壞

一、普通二極管的檢測（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娞匦�。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。

　1、極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個電極,測出一個結(jié)果后,對調(diào)兩表筆,再測出一個結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中,有一次測量出的阻值較大（為反向電阻）,一次測量出的阻值較�。�為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負極。
　2．單負導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5 kΩ左右,反向電阻值為∞（無窮大）。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶谩?/P>

　若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極管已開路損壞。

　3、反向擊穿電壓的檢測二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是：測量二極管時,應(yīng)將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài),再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內(nèi),負極插入測試表的“e”插孔,然后按下“V（BR）”鍵,測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。

　也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓、測量時被測二極管的負極與兆歐表的正極相接,將二極管的正極與兆歐表的負極相連,同時用萬用表（置于合適的直流電壓檔）監(jiān)測二極管兩端的電壓。如圖4-71所示,搖動兆歐表手柄（應(yīng)由慢逐漸加快）,待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時,此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。

二、穩(wěn)壓的檢測

1、正、負電極的判別從外形上看,金屬封裝穩(wěn)壓二極管管體的正極一端為平面形,負極一端為半圓面形。塑封穩(wěn)壓二極管管體上印有彩色標記的一端為負極,另一端為正極。對標志不清楚的穩(wěn)壓二極管,也可以用萬用表判別其極性,測量的方法與普通二極管相同,即用萬用表R×1k檔,將兩表筆分別接穩(wěn)壓二極管的兩個電極,測出一個結(jié)果后,再對調(diào)兩表筆進行測量。在兩次測量結(jié)果中,阻值較小那一次,黑表筆接的是穩(wěn)壓二極管的正極,紅表筆接的是穩(wěn)壓二極管的負極。若測得穩(wěn)壓二極管的正、反向電阻均很小或均為無窮大,則說明該二極管已擊穿或開路損壞。

2、穩(wěn)壓值的測量用0~30V連續(xù)可調(diào)直流電源,對于13V以下的穩(wěn)壓二極管,可將穩(wěn)壓電源的輸出電壓調(diào)至15V,將電源正極串接1只1.5kΩ限流電阻后與被測穩(wěn)壓二極管的負極相連接,電源負極與穩(wěn)壓二極管的正極相接,再用萬用表測量穩(wěn)壓二極管兩端的電壓值,所測的讀數(shù)即為穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值。若穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值高于15V,則應(yīng)將穩(wěn)壓電源調(diào)至20V以上。

　也可用低于1000V的兆歐表為穩(wěn)壓二極管提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩(wěn)壓二極管的負極相接,兆歐表的負端與穩(wěn)壓二極管的正極相接后,按規(guī)定勻速搖動兆歐表手柄,同時用萬用表監(jiān)測穩(wěn)壓二極管兩端電壓值（萬用表的電壓檔應(yīng)視穩(wěn)定電壓值的大小而定）,待萬用表的指示電壓指示穩(wěn)定時,此電壓值便是穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值。　若測量穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值忽高忽低,則說明該二極管的性不穩(wěn)定。

三、雙向觸發(fā)的檢測

1、正、反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔,測量雙向觸發(fā)二極管正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0,則說明該二極管已擊穿損壞。

2、測量轉(zhuǎn)折電壓測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓有三種方法。　第一種方法是：將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端,用兆歐表提供擊穿電壓,同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值,將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小,說明此二極管的性能越好。

　第二種方法是：先用萬用表測出市電電壓U,然后將被測雙向觸發(fā)二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后,接入市電電壓,讀出電壓值U1,再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)連接后并讀出電壓值U2。

　若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V,則說明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已開路損壞。

　第三種方法是：用0~50V連續(xù)可調(diào)直流電源,將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接,將電源的負極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓,當電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上）,則說明此雙向觸發(fā)二極管已導(dǎo)通,此時電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。

四、發(fā)光的檢測

1、正、負極的判別將發(fā)光二極管放在一個光源下,觀察兩個金屬片的大小,通常金屬片大的一端為負極,金屬片小的一端為正極。

2、性能好壞的判斷　用萬用表R×10k檔,測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值（黑表筆接正極時）約為10~20kΩ,反向電阻值為250kΩ~∞（無窮大）。較高靈敏度的發(fā)光二極管,在測量正向電阻值時,管內(nèi)會發(fā)微光。若用萬用表R×1k檔測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值,則會發(fā)現(xiàn)其正、反向電阻值均接近∞（無窮大）,這是因為發(fā)光二極管的正向壓降大于1.6V（高于萬用表R×1k檔內(nèi)電池的電壓值1.5V）的緣故　用萬用表的R×10k檔對一只220μF/25V電解電容器充電（黑表筆接電容器正極,紅表筆接電容器負極）,再將充電后的電容器正極接發(fā)光二極管正極、電容器負極接發(fā)光二極管負極,若發(fā)光二極管有很亮的閃光,則說明該發(fā)光二極管完好。

　也可用3V直流電源,在電源的正極串接1只33Ω電阻后接發(fā)光二極管的正極,將電源的負極接發(fā)光二極管的負極（見圖4-74）,正常的發(fā)光二極管應(yīng)發(fā)光�；�?qū)?節(jié)1.5V電池串接在萬用表的黑表筆（將萬用表置于R×10或R×100檔,黑表筆接電池負極,等于與表內(nèi)的1.5V電池串聯(lián)）,將電池的正極接發(fā)光二極管的正極,紅表筆接發(fā)光二極管的負極,正常的發(fā)光二極管應(yīng)發(fā)光。

五、紅外發(fā)光的檢測

1．正、負極性的判別紅外發(fā)光二極管多采用透明樹脂封裝,管心下部有一個淺盤,管內(nèi)電極寬大的為負極,而電極窄小的為正極。也可從管身形狀和引腳的長短來判斷。通常,靠近管身側(cè)向小平面的電極為負極,另一端引腳為正極。長引腳為正極,短引腳為負極。

　2．性能好壞的測量用萬用表R×10k檔測量紅外發(fā)光管有正、反向電阻。正常時,正向電阻值約為15~40kΩ（此值越小越好）；反向電阻大于500kΩ（用R×10k檔測量,反向電阻大于200 kΩ）。若測得正、反向電阻值均接近零,則說明該紅外發(fā)光二極管內(nèi)部已擊穿損壞。若測得正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極管已開路損壞。若測得的反向電阻值遠遠小于500kΩ,則說明該二極管已漏電損壞。Rac電子資料網(wǎng)

六、紅外光敏的檢測

將萬用表置于R×1k檔,測量紅外光敏二極管的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值（黑表筆所接引腳為正極）為3~10 kΩ左右,反向電阻值為500 kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則說明該光敏二極管已擊穿或開路損壞。

　在測量紅外光敏二極管反向電阻值的同時,用電視機遙控器對著被測紅外光敏二極管的接收窗口（見圖4-75）。正常的紅外光敏二極管,在按動遙控器上按鍵時,其反向電阻值會由500 kΩ以上減小至50~100 kΩ之間。阻值下降越多,說明紅外光敏二極管的靈敏度越高。

七、其他光敏的檢測

1．電阻測量法用黑紙或黑布遮住光敏二極管的光信號接收窗口,然后用萬用表R×1k檔測量光敏二極管的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值在10~20kΩ之間,反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則是該光敏二極管漏電或開路損壞。　再去掉黑紙或黑布,使光敏二極管的光信號接收窗口對準光源,然后觀察其正、反向電阻值的變化。正常時,正、反向電阻值均應(yīng)變小,阻值變化越大,說明該光敏二極管的靈敏度越高。
　2．電壓測量法將萬用表置于1V直流電壓檔,黑表筆接光敏二極管的負極,紅表筆接光敏二極管的正極、將光敏二極管的光信號接收窗口對準光源。正常時應(yīng)有0.2~0.4V電壓（其電壓與光照強度成正比）。　3．電流測量法將萬用表置于50μA或500μA電流檔,紅表筆接正極,黑表筆接負極,正常的光敏二極管在白熾燈光下,隨著光照強度的增加,其電流從幾微安增大至幾百微安。

八、激光的檢測

1．阻值測量法拆下激光二極管,用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為20~40kΩ之間,反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ,則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ,則說明該二極管已嚴重老化,不能再使用了。

2．電流測量法用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負載電阻兩端的電壓降,再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值,當電流超過100mA時,若調(diào)節(jié)激光功率電位器（見圖4-76）,而電流無明顯的變化,則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控,則說明激光二極管的光學(xué)諧振腔已損壞。

九、變?nèi)莸臋z測

1．正、負極的判別有的變?nèi)荻�極管的一端涂有黑色標記,這一端即是負極,而另一端為正極。還有的變?nèi)荻�極管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán),紅色環(huán)的一端為正極,黃色環(huán)的一端為負極�！∫部梢杂�數(shù)字萬用表的二極管檔,通過測量變?nèi)荻�極管的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性。正常的變?nèi)荻�極管,在測量其正向電壓降時,表的讀數(shù)為0.58~0.65V；測量其反向電壓降時,表的讀數(shù)顯示為溢出符號“1”。在測量正向電壓降時,紅表筆接的是變?nèi)荻�極管的正極,黑表筆接的是變?nèi)荻�極管的負極。　2．性能好壞的判斷用指針式萬用表的R×10k檔測量變?nèi)荻�極管的正、反向電阻值。正常的變?nèi)荻�極管,其正、反向電阻值均為∞（無窮大）。若被測變?nèi)荻�極管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0,則是該二極管漏電或擊穿損壞。

十、雙基極的檢測

1．電極的判別將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆測量雙基極二極管三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值,會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ,這兩個電極即是基極B1和基極B2,另一個電極即是發(fā)射極E。再將黑表筆接發(fā)射極E,用紅表筆依次去接觸另外兩個電極,一般會測出兩個不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中,紅表筆接的是基極B2,另一個電極即是基極B1�！�2．性能好壞的判斷雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔,將黑表筆接發(fā)射極E,紅表筆依次接兩個基極（B1和B2）,正常時均應(yīng)有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E,黑表筆依次接兩個基極,正常時阻值為無窮大�！‰p基極二極管兩個基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi),若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時,則說明該二極管已損壞。

十一、橋堆的檢測

1．全橋的檢測大多數(shù)的整流全橋上,均標注有“ ”、“-”、“~”符號（其中“ ”為整流后輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端）,很容易確定出各電極。Rac電子資料網(wǎng)　檢測時,可通過分別測量“ ”極與兩個“~”極、“-”極與兩個“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常,即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內(nèi)鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。　2．半橋的檢測半橋是由兩只整流二極管組成,通過用萬用表分別測量半橋內(nèi)部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常,即可判斷出該半橋是否正常。

十二、高壓硅堆檢測

高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成,檢測時,可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆,其正向電阻值大于200kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值,則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。

十三、變阻的檢測

用萬用表R×10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值,正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時）為4.5~6kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則說明被測變阻二極管已損壞。

十四、肖特基的檢測

二端型肖特基二極管可以用萬用表R×1檔測量。正常時,其正向電阻值（黑表筆接正極）為2.5~3.5Ω,投向電阻值為無窮大。若測得正、反電阻值均為無窮大或均接近0,則說明該二極管已開路或擊穿損壞。　三端型肖特基二極管應(yīng)先測出其公共端,判別出共陰對管,還是共陽對管,然后再分別測量兩個二極管的正、反向電阻值。正向特性測試　把萬用表的黑表筆（表內(nèi)正極）搭觸二極管的正極,紅表筆（表內(nèi)負極）搭觸二極管的負極。若表針不擺到0值而是停在標度盤的中間,這時的阻值就是二極管的正向電阻,一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值,說明管芯短路損壞,若正向電阻接近無窮大值,說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。

反向特性測試

把萬用表的紅表筆搭觸二極管的正極,黑表筆搭觸二極管的負極,若表針指在無窮大值或接近無窮大值,二極管就是合格的。

部分常用二極管參數(shù)

05Z6.2Y 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,

05Z7.5Y 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,

05Z13X 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,

05Z15Y 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,

05Z18Y 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,

1N4001 硅整流二極管 50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)

1N4002 硅整流二極管 100V,1A,

1N4003 硅整流二極管 200V,1A,

1N4004 硅整流二極管 400V,1A,

1N4005 硅整流二極管 600V,1A,

1N4006 硅整流二極管 800V,1A,

1N4007 硅整流二極管 1000V,1A,

1N4148 二極管 75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,

1N5391 硅整流二極管 50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)

1N5392 硅整流二極管 100V,1.5A,

1N5393 硅整流二極管 200V,1.5A,

1N5394 硅整流二極管 300V,1.5A,

1N5395 硅整流二極管 400V,1.5A,

1N5396 硅整流二極管 500V,1.5A,

1N5397 硅整流二極管 600V,1.5A,

1N5398 硅整流二極管 800V,1.5A,

1N5399 硅整流二極管 1000V,1.5A,

1N5400 硅整流二極管 50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)

1N5401 硅整流二極管 100V,3A,

1N5402 硅整流二極管 200V,3A,

1N5403 硅整流二極管 300V,3A,

1N5404 硅整流二極管 400V,3A,

1N5405 硅整流二極管 500V,3A,

1N5406 硅整流二極管 600V,3A,

1N5407 硅整流二極管 800V,3A,

1N5408 硅整流二極管 1000V,3A,

1S1553 硅開關(guān)二極管 70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S1554 硅開關(guān)二極管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S1555 硅開關(guān)二極管 35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S2076 硅開關(guān)二極管 35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

1S2076A 硅開關(guān)二極管 70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,

60V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

1S2471 硅開關(guān)二極管 80V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2471B 硅開關(guān)二極管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,

1S2471V 硅開關(guān)二極管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,

1S2472 硅開關(guān)二極管 50V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2473 硅開關(guān)二極管 35V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,

1S2473H 硅開關(guān)二極管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,

2AN1 二極管 5A,f=100KHz

2CK100 硅開關(guān)二極管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,

2CK101 硅開關(guān)二極管 70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,

2CK102 硅開關(guān)二極管 35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,

2CK103 硅開關(guān)二極管 20V,100mA,2PF,100ma,

2CK104 硅開關(guān)二極管 35V,100mA,10nS,2PF,225ma,

2CK105 硅開關(guān)二極管 35V,100mA,4nS,2PF,225ma,

2CK106 硅開關(guān)二極管 75V,100mA,4nS,2PF,100ma,

2CK107 硅開關(guān)二極管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,

2CK108 硅開關(guān)二極管 70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK109 硅開關(guān)二極管 35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK110 硅開關(guān)二極管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,

2CK111 硅開關(guān)二極管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK150 硅開關(guān)二極管 15V,Ir≤25nA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK161 硅開關(guān)二極管 15V,Ir≤25nA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK4148 硅開關(guān)二極管 75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,

2CK2076 硅開關(guān)二極管 35V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

2CK2076A硅開關(guān)二極管 60V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

2CK2471 硅開關(guān)二極管 80V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK2472 硅開關(guān)二極管 50V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK2473 硅開關(guān)二極管 35V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,

2CN1A 硅二極管 400V,1A,f=100KHz,

2CN1B 硅二極管 100V,1A,f=100KHz,

2CN3 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3D 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3E 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3F 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3G 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3H 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3I 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN3K 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CN4D 硅二極管 V,1.5A,f=100KHz,

2CN5D 硅二極管 V,1.5A,f=100KHz,

2CN6 硅二極管 V,1A,f=100KHz,

2CP1553 硅二極管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,

2CP1554 硅二極管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,

2CP1555 硅二極管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,

2CW1 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=7.0~8.8V,Pzm=280mW,

2CW2 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=8.5~9.5V,Pzm=280mW,

2CW3 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=9.2~10.5V,Pzm=280mW,

2CW4 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=10.0~11.8V,Pzm=280mW,

2CW5 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=11.5~12.5V,Pzm=280mW,

2CW5 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=12.2~14V,Pzm=280mW,

2CW9 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=1.0~2.8V,Pzm=250mW,

2CW10 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=2.5~3.5V,Pzm=250mW,

2CW11 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=3.2~4.5V,Pzm=250mW,

2CW12 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=4.0~5.8V,Pzm=250mW,

2CW13 硅穩(wěn)壓二極管 Vz=5.5~6.5V,Pzm=250mW。